//全球八成嘅石墨礦儲量都喺中國，相信美國好快會後悔制裁中國！//
天津大學納米顆粒與納米系統國際研究中心的馬雷教授團隊，攻克長期以來阻礙石墨烯電子學發展的關鍵技術難題，在保證石墨烯優良特性的前提下，打開了石墨烯帶隙，成為開啟石墨烯晶片製造領域大門的重要里程碑。該研究成果論文《碳化硅上生長的超高遷移率半導體外延石墨烯》前日（3日）已發表在國際期刊《自然》上。論文共同第一作者分別為趙健、紀佩璇、李雅奇、李睿4人，其他多位署名作者主要來自天津大學研究團隊，以及美國喬治亞理工學院的研究人員。
馬雷團隊通過對外延石墨烯生長過程的精確調控，成功在石墨烯中引入了帶隙，創造一種新型穩定的半導體石墨烯。這種半導體石墨烯的電子遷移率遠超硅材料，其性能在室溫環境下速度較矽快10倍以上，並且擁有硅材料所不具備的獨特性質。
該項研究採用創新的准平衡退火方法，製備出超大單層單晶疇半導體外延石墨烯（SEG），具有生長面積大、均勻性高，工藝流程簡單、成本低廉等優勢。該方法製備的半導體石墨烯，擁有約600毫電子伏帶隙以及高達5500厘米平方每伏特秒的室溫霍爾遷移率，優於目前所有二維晶體至少一個數量級。以該半導體外延石墨烯制備的場效應晶體管開關比高達10000，基本滿足工業化應用需求。
團隊指導教師天津大學講席教授、天津納米顆粒與納米系統國際研究中心執行主任馬雷向內地《第一財經》表示，這項石墨烯半導體研究，是以天津大學的團隊為主導，而網傳由美方主導一說只為誤傳。他表示，研究成果發現於2021年下半年，上述論文成文於2022年。研究由文章的署名作者之一Walt A. de Heer提點研究方向，馬雷帶領的中國研究團隊承擔主要研究和攻關工作。
全球80%的石墨礦儲量在中國，令中國發展石墨烯具先天優勢。台積電創辦人張忠謀曾公開表示：「看好碳導管、石墨烯等新材料可能會成為下一波半導體新技術！」有評論認為，石墨烯半導體是中國擺脫美國半導體制裁的重要方向。
圖片來源：網上圖片
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