//中國嘅航天科技又取得一大突破！//
由中國科學院微電子研究所研發以碳化矽（SiC）作為第三代半導體材料製造的功率器件，早前搭乘天舟八號貨運飛船飛抵中國天宮太空站，並在太空成功驗證，第三代半導體材料有望牽引中國航天電源升級換代。
中國科學院微電子研究所劉新宇研究員說：「本次搭載主要任務是對國產自研、高壓抗輻射的碳化硅功率器件進行空間驗證，並在航天電源中進行應用驗證，同時進行綜合輻射效應等科學研究，逐步提升我國航天數字電源功率，支撐未來單電源模塊達到千瓦級。」
通過一個多月的在軌加電試驗，碳化硅載荷測試數據正常，成功進行高壓400V碳化硅功率器件在軌試驗與應用驗證，在電源系統中靜態、動態參數均符合預期。
業內專家認為，中國在太空成功驗證第三代半導體材料製造的功率器件，標誌著在以「克」為計量的空間載荷需求下，碳化硅功率器件有望牽引空間電源系統的升級換代，為未來中國在探月工程、載人登月、深空探測等領域提供新一代功率器件。
圖片來源：網上圖片
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